IT之家6 月 18 日音讯，据韩媒《韩国经济日报》报导，三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技能。

  SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技能，旨在笔直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报导称该技能的详细完成方法是在处理器和 HBM 芯片间树立硅中介层。

  三星电子近期在三星代工论坛 2024 北美场上表明，其 SAINT-D 技能现在正处于概念验证阶段。

  HBM 内存与处理器之间现在选用 2.5D 封装衔接，两者水平放置，之间有必定间隔。这不只引入了更大传输推迟，一起还影响了电信号质量、提升了数据移动功耗。

  而SAINT-D 技能将处理器和 HBM 内存的距离降到更低，有利于 AI 加速器芯片进一步开释功能潜力。

  关于三星电子全体而言，因为可提供从先进节点代工、HBM 内存出产到全体封装集成的全流程“交钥匙”服务，SAINT-D 的使用也可带动其现在处于下风的 HBM 和代工事务开展。

  依据商场研究机构 MGI 的数据，SAINT-D 等先进封装商场的规划将从 2023 年的 345 亿美元生长至 800 亿美元。

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